993-07-7/三甲基硅烷的應(yīng)用舉例

背景及概述^[1]

三甲基硅烷((CH₃)₃SiH)近年來作為半導(dǎo)體領(lǐng)域中的層間絕緣膜、作為成膜原料，其用途逐漸擴(kuò)大。

應(yīng)用^[1-3]

應(yīng)用一、

CN201410418294.X公開了一種光引發(fā)劑雙(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦的制備方法，其合成步驟為在惰性氣體的保護(hù)下，三氯化鋁或四氯化錫和三甲基硅烷在0~100℃溫度范圍內(nèi)反應(yīng)得到二氯化鋁離子，并迅速與反應(yīng)體系中的苯基二氯化膦作用，得到雙(二氯化鋁或三氯化錫)膦鹽中間體，接著該中間體和2,4,6-三甲基苯甲酰氯發(fā)生反應(yīng)，得到雙(2,4,6-三甲基苯甲?；?苯基膦，在20~50℃溫度條件下再經(jīng)二氧化氮氧化，得到目標(biāo)產(chǎn)物。該方法避免了使用危險的活潑金屬鉀或鈉，采用價格相對低廉的三氯化鋁或四氯化錫和三甲基硅烷現(xiàn)場生成活性中間體來實現(xiàn)這一反應(yīng)。該方法具有制備成本低，操作過程簡單、安全，反應(yīng)過程易于控制，產(chǎn)品收率高，純度好，易于實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)等特點。

應(yīng)用二、

CN201010285729.X提供一種SiCN擴(kuò)散阻擋層制備工藝，采用等離子體輔助化學(xué)氣相沉積方法，反應(yīng)氣體為三甲基硅烷、氨氣和硅烷沉積形成所述SiCN擴(kuò)散阻擋層。本發(fā)明的SiCN擴(kuò)散阻擋層制備工藝通過在反應(yīng)氣體中增加硅烷氣體使得三甲基硅烷和氨氣在反應(yīng)室內(nèi)分布的更加均勻，從而使得反應(yīng)生成的SiCN擴(kuò)散阻擋層中各個部位的組分分布都更加均勻。

應(yīng)用三、

CN201910815675.4報道了一種納米疏水劑，包括如下成分：10%-25%二甲基二乙氧基硅烷、5-20%三甲基硅烷、1-10%羥基硅油、1-5%KH550氨基官能團(tuán)硅烷、20-55%的乙醇溶液，該涂層增大了與水的接觸角，從而顯著提高了排水效果，只需少量的水來清洗，同時減小了水的滑動角，使玻璃表面更容易擦洗，祛除了有害清潔劑的使用。

參考文獻(xiàn)

[1] CN201410418294.X一種光引發(fā)劑雙(2,4,6-三甲基苯甲?；?苯基氧化膦的制備方法

[2] CN201010285729.X一種SiCN擴(kuò)散阻擋層制備工藝

[3] CN201910815675.4一種納米疏水劑及其制備方法