409-21-2 / GE公司在紐約州建立碳化硅封裝中心

[據(jù)化合物半導體網(wǎng)站2015年8月21日報道] 紐約州州長安德魯·科莫已宣布，通用電氣（GE）全球研發(fā)中心將作為紐約州立大學納米科學與工程理工學院計算機芯片商業(yè)化中心（QUAD C）的主要租戶。GE公司攜手紐約州立大學，將建立美國首個基于GE公司碳化硅技術的功率電子制造中心。

GE公司高級副總裁兼首席技術官馬克·利特表示，“與紐約州和位于奧爾巴尼的紐約州立大學理工學院，到目前的尤蒂卡一起，我們正在創(chuàng)造一個碳化硅通道，成為功率電子下一次革命的中心。在尤蒂卡，它將重點從計算機芯片商業(yè)化擴展到創(chuàng)建美國首個基于GE公司碳化硅技術的功率電子制造中心”。

此外，科莫透漏，模擬半導體和傳感器公司AMS AG公司將投資20億美元，支持尖端的，36萬英尺，200/300納米晶圓制造設施，以制造模擬芯片。

這些公-私合作關系標志著美政府15億美元納米尤蒂卡倡議下一階段的啟動。

先進的封裝技術對更快、更強大的計算機芯片發(fā)展，以及用于功率電子領域的碳化硅芯片至關重要。封裝設施是紐約功率電子制造協(xié)會的重要組成部分，該協(xié)會是由政府資助5億美元支持的公私半導體研究合作伙伴關系，包括100多家企業(yè)。協(xié)會位于紐約州立大學Poly Megaplex大樓中，領導者包括GE公司和IBM公司，正在推動整個紐約州北部材料領域協(xié)調(diào)和創(chuàng)造就業(yè)。

QUAD C的擴展包括先進的潔凈室、實驗室、動手教育和勞動力培訓設施，以及面積25.3萬平方英尺的綜合辦公室。該潔凈室將是美國首個兩層的5.6萬平方英尺的潔凈室，比最初計劃的面積大5倍。

按照紐約州長創(chuàng)新驅(qū)動的經(jīng)濟發(fā)展模式，公共資金將不會提供給私人公司。紐約州將為QUAD C和Marcy納米中心投資2.5億美元，以支持關鍵設備和基礎設施的改善。美國政府將擁有這些設施，并紐約州立大學Poly來管理這些設施。這些國家投資將推動莫霍克谷高技術經(jīng)濟生態(tài)系統(tǒng)，吸引更多的納米技術領域就業(yè)機會和供應鏈企業(yè)，以支持和促進納米尤蒂卡倡議。（工業(yè)和信息化部電子科學技術情報研究所 宋文文）

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碳化硅是由硅與碳元素以共價鍵結合的非金屬碳化物，硬度僅次于金剛石和碳化硼?；瘜W式為SiC。無色晶體，表面氧化或含雜質(zhì)時呈藍黑色。具有金剛石結構的碳化硅變體俗稱金剛砂。金剛砂的硬度接近金剛石，熱穩(wěn)定性好，2127℃時由β-碳化硅轉(zhuǎn)變成α-碳化硅，α-碳化硅在2400℃仍然穩(wěn)定。對氫氟酸水溶液和濃硫酸穩(wěn)定，對濃氫氟酸與硝酸的混合酸或磷酸則不穩(wěn)定。在空氣氛中被熔融的堿分解。它分為人工合成碳化硅和天然碳化硅。天然碳化硅稱為碳硅石，主要賦存于金伯利巖及火山角閃巖中，但其量甚少，無開采價值。

信息來源：中國國防科技信息網(wǎng)。