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每種產品肯定都有自己的定位，能在特定領域發(fā)揮極其重要，甚至是不可替代的作用。比如說“重結晶碳化硅（R-SiC）”，由于生產門檻高的原因，因此它與“反應燒結碳化硅”相比起來低調不少，國內包括沈陽星光在內的只有幾家陶瓷企業(yè)有能力生產，但極為優(yōu)越的熱穩(wěn)定性，使它在1350~1600℃的溫度范圍內的應用中有著相當強勢的存在感。
重結晶碳化硅（R-SiC）是一種無結合相的碳化硅材料，其優(yōu)越的高溫性能與其合成機理離不開關系。
重結晶碳化硅材料的制備方法如下：以兩種不同粒度級配（粗細）的高純碳化硅為原料，添加適量臨時結合劑（不添加燒結助劑），按照一定比例混合均勻后，采用注漿或凝膠注模等方法成型，在高溫（2200～2450℃）及氣氛保護下，發(fā)生蒸發(fā)－凝聚再結晶作用，在顆粒接觸處發(fā)生顆粒共生而形成燒結體。因此，重結晶碳化硅在燒結過程中無收縮、無液相，最終形成多孔且孔隙相互連通的網絡骨架結構。再結晶的過程示意圖如下：
由于碳化硅分子只能產生少量的氣相分子，因此要注意在這里的“蒸發(fā)”不是簡單的碳化硅氣化，而是在二氧化硅存在時碳化硅體的分解。當細小顆粒占粗大顆粒之間的空隙，焙燒時它們會解體，接著又在大顆粒點接觸處凝聚沉積，形成新的晶界層，從而讓微觀結構得以加強，一旦細小顆粒完全消失和留下氣孔，燒結過程就完成了。
（圖片來源：沈陽星光技術陶瓷有限公司）
據說就是因為這種合成機理，使得重結晶碳化硅制品的表面宛如星河
重結晶碳化硅材料的結構與性能與反應燒結碳化硅、無壓燒結碳化硅、自結合碳化硅材料有著顯著的區(qū)別。
不同碳化硅材料的制備工藝比較
不同碳化硅材料的顯微結構比較
可發(fā)現，由于重結晶碳化硅在燒結過程中沒有任何收縮，因此內部疏松，存在較多的氣孔。雖然這會導致易受到高溫影響，反而隨著溫度的升高還有一定的提升，比如說在1400℃時重結晶碳化硅的抗折強度相比于室溫會有15~20%的提高。
相比其他碳化硅材料，重結晶碳化硅由于具有較純的界面，熱導率是一般碳化硅耐火材料的5倍以上，而且由于具有較低的熱膨脹系數，因此重結晶碳化硅的抗熱震性較高，可以抵抗急冷急熱沖擊，減少蓄熱；由于純度高，無中間化合物結合相，抗氧化侵襲能力強，可大大提高使用壽命。
重結晶碳化硅材料綜合性能優(yōu)異，因此在多個領域都受到重視。下面按結構材料、多孔材料、熱交換器、電功能型和復合材料五個方面進行介紹。
1、結構材料
重結晶碳化硅作為結構材料主要利用的是它優(yōu)異的高溫力學性能，如窯具、輥棒、棚板、橫梁、硅晶片處理用承載件等，它是1500℃以上的空氣條件下為數不多可以作為承載件的材料之一。利用其高強度和高熱導率，能將匣缽和棚板做得很薄，有效減小窯具提及，大幅降低窯具和待燒瓷件的裝載比，提高窯爐利用率，還能實現陶瓷的快速燒成，成倍增加窯爐產品和降低窯爐的單位能耗。
（圖片來源：沈陽星光）
2、多孔材料
由于制備工藝的原因，重結晶碳化硅不需要或者僅需少量加入致孔劑就可以得到高孔隙率，再加上它在燒成過程中完全不會收縮，因此其內部不會產生應力導致材料開裂或者彎曲。在制備大件產品時，重結晶碳化硅的優(yōu)勢尤其明顯，因為它的孔隙率不會像其他多孔陶瓷一樣受燒成溫度影響，因此不需要以降低燒成溫度、犧牲材料強度的方式來保證氣孔率。目前應用領域的有柴油車尾氣過濾、金屬冶煉過濾、化石燃料空氣過濾等。
（圖片來源：沈陽星光）
3、熱交換材料
因為具有高熱導率和吸光率，重結晶碳化硅被制成蜂窩陶瓷用于太陽能發(fā)電塔中的太陽能收集器，將反射過來的強光吸收并轉換成熱量加熱空氣推動蒸汽輪機發(fā)電；由于具有較好的抗氧化性和優(yōu)異的抗熱震性能使得其工作溫度在1100℃以上，目前已成功應用于200kW發(fā)電塔中。
4、電熱材料
重結晶碳化硅可作為高溫點火器使用，其工作溫度是接近1500℃的高溫氧化性條件。但由于其內部存在大量的連通孔隙而導致點火器在使用過程中氧化性氣體可以通過其連通孔隙進入到內部，在孔表面與碳化硅反應形成二氧化硅。但由于二氧化硅是絕緣體，隨著氧化的增加氧化層變厚，會減少點火器的導電截面積，從而降低發(fā)熱效率。目前可通過向多孔碳化硅中浸漬含有Si3N4顆粒的漿料，使其進入孔隙內部形成保護層來減少不利影響。
5、復合材料
重結晶碳化硅多孔連通的結構為它與其他材料，尤其是液相狀態(tài)的材料如金屬或者金屬間化合物，進行復合提供的條件。這樣可得到金屬和陶瓷性能相結合的復合材料，如Al-RSiC、Cu-RSiC等，可用于電子封裝材料。
資料來源
Starliaht重結晶碳化硅窯具的開發(fā)與應用，馬曉紅。
重結晶碳化硅材料的制備與應用研究進展，黃進，吳昊天，萬龍剛。
碳化硅粉體的整形及其再結晶動力學研究，劉望生，代小元，許順祥，高金鋒，薛俊，曹宏。
重結晶碳化硅——工藝技術及燒結行為，（德）J.Kriegesmann。
再結晶碳化硅燒結機理及其材料性能改進研究，郭文明。