12060-01-4 / 鋯酸鉛的主要制備

背景及概述^[1]

鋯酸鉛主要用于制備化工原料。

制備^[2-3]

鋯酸鉛應(yīng)用舉例如下：

1）制備一種氧化鎳-鋯酸鉛反鐵電復(fù)合薄膜，所述氧化鎳?鋯酸鉛反鐵電復(fù)合薄膜材料包括鋯酸鉛薄膜和氧化鎳，所述氧化鎳呈納米柱結(jié)構(gòu)且分布在所述鋯酸鉛中，所述氧化鎳的體積為所述復(fù)合薄膜材料的1~20%；所述氧化鎳?鋯酸鉛反鐵電復(fù)合薄膜材料是采用脈沖激光沉積法制得的。本發(fā)明復(fù)合薄膜材料的制備工藝簡(jiǎn)單，氧化鎳納米柱的直徑、分布、厚度精確可控，所得氧化鎳?鋯酸鉛反鐵電復(fù)合薄膜兼具良好的儲(chǔ)能密度、鐵電性能和介電性能，有效提高了復(fù)合薄膜材料的綜合性能，且生產(chǎn)成本低，應(yīng)用前景廣闊。

2）制備一種鈮鈧酸鉛-鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛-鋯酸鉛鐵電單晶材料，該材料化學(xué)式為xPb(Sc1/2Nb1/2)O3-yPb(Mg1/3Nb2/3)O3-zPbTiO3-(1-x-y-z)PbZrO3，其中：0.04≤x≤0.06，0.50≤y≤0.60，0.30≤z≤0.35，1-x-y-z≠0，屬于復(fù)合鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。本發(fā)明在PMN-PT體系中引入鈮鈧酸鉛(PSN)和鋯酸鉛(PZ)，將其改為四元體系PSN-PMN-PT-PZ，一方面與PMN-PT相比，在不降低壓電性能的前提下可有效地提高TR-T；另一方面與PSN-PT相比，能夠極大地減少Sc2O3的用量，降低成本，同時(shí)可以降低材料熔點(diǎn)，使晶體生長(zhǎng)變得容易。

3）制備一種具有高儲(chǔ)能密度的復(fù)合薄膜，該復(fù)合薄膜底層和上層為鋯酸鉛基薄膜層；中間層為鈦酸鋇基二元固溶體薄膜層；制備方法是將鋯酸鉛基薄膜層原料和鈦酸鋇基二元固溶體薄膜層原料分別配制成鋯酸鉛基前驅(qū)體溶液和鈦酸鋇基二元固溶體前驅(qū)體溶液；用制得的鋯酸鉛基前驅(qū)體溶液通過(guò)甩膠旋涂在Pt(111)/Ti/SiO2/Si襯底上得到濕膜，再用得到的濕膜在氧氣氣氛下經(jīng)過(guò)烘烤、熱解、退火處理，即制得鋯酸鉛基薄膜層；再按照上述鋯酸鉛基薄膜層的制備過(guò)程在已制得的鋯酸鉛基薄膜層上依次制備鈦酸鋇基二元固溶體薄膜層和鋯酸鉛基薄膜層，即得；該復(fù)合薄膜具有高能量存儲(chǔ)密度且耐極化疲勞的性能，制備方法簡(jiǎn)單易行、成本低，可工業(yè)化生產(chǎn)。

主要參考資料

[1] CN201811432139.8一種氧化鎳-鋯酸鉛反鐵電復(fù)合薄膜及其制備方法

[2] CN201510627514.4一種鈮鈧酸鉛?鈮鎂酸鉛?鈦酸鉛?鋯酸鉛鐵電單晶材料

[3] CN201310152902.2一種具有高儲(chǔ)能密度的復(fù)合薄膜及其制備方法