22398-80-7 / 了解磷化銦的發(fā)展史

磷化銦（InP）是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料之一，是繼Si、GaAs之后的新一代電子功能材料。磷化銦具有許多優(yōu)點(diǎn)，直接躍遷型能帶結(jié)構(gòu)，高的電光轉(zhuǎn)換效率和電子遷移率，易于制成半絕緣片材料，適合制作高頻微波器件和電路，工作溫度高，具有強(qiáng)的抗輻射能力，作為太陽(yáng)能電池材料轉(zhuǎn)換效率高等。這些特征決定了其在固體發(fā)光、微波通信、光纖通信、制導(dǎo)/導(dǎo)航、衛(wèi)星等民用和軍事領(lǐng)域的應(yīng)用十分廣闊。

20世紀(jì)50年代末，科學(xué)工作者應(yīng)用水平布里奇曼法、溫度梯度法和磁耦合提拉法生長(zhǎng)出了磷化銦單晶。1965-1968年Mullin等人第一次用三氧化二硼做液封劑，用LEC法生長(zhǎng)出了磷化銦單晶材料，為以后生長(zhǎng)大直徑、高質(zhì)量Ⅲ-Ⅴ族單晶打下基礎(chǔ)，磷化銦材料的研究也才真正開(kāi)始。隨著20世紀(jì)80年代透射電鏡技術(shù)的應(yīng)用和迅速發(fā)展以及光纖通信事業(yè)的大發(fā)展，光電器件的走紅，太陽(yáng)能電池的大量需求，極大的推動(dòng)了與這些技術(shù)密切相關(guān)的磷化銦材料的研究和發(fā)展。北大西洋公約組織在1980年召開(kāi)了三年一屆的磷化銦工作會(huì)議，到1989年，由于磷化銦材料與器件發(fā)展迅速，工作會(huì)議改為由IEEE等國(guó)際著名組織主辦的以磷化銦命名的國(guó)際性學(xué)術(shù)會(huì)議--“磷化銦及相關(guān)材料國(guó)際會(huì)議（IPRM）”，會(huì)議每年召開(kāi)一次。美國(guó)國(guó)防部早在1989年就專(zhuān)門(mén)制訂了關(guān)于磷化銦到2000年的發(fā)展規(guī)劃，目的是找到磷化銦單晶材料的可靠來(lái)源，以提高其在21世紀(jì)的實(shí)戰(zhàn)能力，因?yàn)榱谆煹奈⒉ê秃撩撞▎纹娐纺苁龟戃姴捎霉虘B(tài)器件和相控技術(shù)來(lái)發(fā)展先進(jìn)的雷達(dá)和通信系統(tǒng)。其他英、日、俄、法等技術(shù)先進(jìn)國(guó)家也早在20世紀(jì)70年代末就對(duì)磷化銦單晶材料的制備和相關(guān)器件的發(fā)展給以極大的關(guān)注，所以目前仍是這些國(guó)家在此領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位，并積極開(kāi)拓市場(chǎng)，使之真正實(shí)現(xiàn)廣泛應(yīng)用。

我國(guó)的磷化銦材料起步并不晚，在20世紀(jì)70年代就開(kāi)始了磷化銦單晶材料的研制工作，到1976年就用國(guó)產(chǎn)自行設(shè)計(jì)制造的首臺(tái)高壓?jiǎn)尉t生長(zhǎng)出了我國(guó)第一根具有使用和研究?jī)r(jià)值的磷化銦單晶。到80年代初開(kāi)始了我國(guó)自己的磷化銦器件研制工作。盡管由于我國(guó)的基礎(chǔ)工業(yè)還比較落后，磷化銦的應(yīng)用在我國(guó)還遠(yuǎn)不如人意，但我國(guó)一直沒(méi)有放棄這一重要領(lǐng)域的研究工作，我國(guó)的科學(xué)工作者在磷化銦多晶合成和單晶生長(zhǎng)方面取得了許多成果。

磷化銦材料的發(fā)展促進(jìn)了PBN坩堝的需求，山東國(guó)晶新材料有限公司 一直致力于生產(chǎn)更高質(zhì)量的PBN坩堝，為滿足磷化銦材料生產(chǎn)廠家的大量需求奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。